- 3 名前：名刺は切らしておりまして mailto:sage [2014/01/05(日) 00:27:54.24 ID:M/M8qHR+]
- 今、半導体スピントロニクスが熱い
ここにきて、莫大な市場規模を誇るDRAMの代替が視野に入りつつあるのです。技術的なポイントは
大きく二つあります。一つは、既存のMRAMから動作方式を抜本的に変更したSTT-MRAMの技術開発が
佳境を迎えていること。既存のMRAMは微細化に対応しにくいという課題がありましたが、この
STT-MRAMでは微細化への対応が相対的に容易になりました。もう一つのポイントは、MRAMの記憶素子
であるMTJ（磁気トンネル接合）について、HDDの記録密度向上に貢献している垂直磁化方式の適用が
可能になる見通しが付いてきたことです。現行のMRAMに利用されている面内磁化方式のMTJに比べて、
少ない電流でデータを書き込めるため、より微細化に向く技術です。
そして、このSTT-MRAM向けの垂直磁化MTJの研究開発で、世界的に注目されているのが、東北大学
電気通信研究所 教授の大野英男氏のグループです。同氏が中心となって提案した界面磁気異方性を
有する垂直磁化MTJについては、論文発表後、世界中の研究機関やメーカーが追試を行ったとされて
います。
その大野氏の名前を聞いてピンときた方は少なくないと思います。同氏は、情報サービス企業の
米Thomson Reuters社が2011年9月に発表したノーベル賞の有力候補24人のうち、日本人として選ば
れた人物です。同氏の研究テーマは、スピントロニクス分野の「希薄磁性半導体における強磁性の
特性と制御に関する研究」です。
techon.nikkeibp.co.jp/article/COLUMN/20111212/202490/
次世代半導体メモリ「ＭＲＡＭ」を日米２０社東北大拠点に開発へ 遠藤哲郎教授
n-seikei.jp/2013/11/post-19122.html
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