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【半導体】新型メモリー量産で先行 東芝と韓国ハイニックス 容量10倍、16年度にも [14/01/01]



229 名前:名刺は切らしておりまして mailto:sage [2014/01/21(火) 01:38:45.89 ID:8sgpfMoS]
>>214
2014/1/19付
(シリーズ検証 半導体興亡史)(3)苦闘11年 マネー敗戦 エルピーダ坂本社長の奔走 巨額投資、カベ高く
www.nikkei.com/article/DGKDZO65528100Y4A110C1TY8000/
 日本勢が輝いた1990年代半ば以前と以降で、半導体の競争ルールが大きく変わった。半導体の微細化が
急速に進み、新鋭工場をつくるための投資額が400億〜500億円レベルから1000億円超に跳ね上がったのだ。
バブルの後始末に追われた日本企業は巨額の投資に対応できず…

2014/1/19付
ルネサスの挫折 伊藤・初代社長に聞く 営業利益目標 低すぎた
www.nikkei.com/article/DGKDZO65528170Y4A110C1TY8000/
 2013年3月期まで8期連続で最終赤字だったルネサスエレクトロニクス。同年9月末に約1300億円を出資した
政府系ファンド傘下に入った。ルネサスの前身は日立製作所と三菱電機のシステムLSI(大規模集積回路)事業
を統合したルネサステクノロジ。03年の発足時、世界で戦えるシステムLSIメーカーと期待された同社はどこで
つまずいたのか。日立出身で初代社長を務めた伊藤達氏に聞いた。
 ――統合を決断したきっか…

2014/1/18
「超」高信頼をうたうメモリー、ルネサスが開発
www.nikkei.com/article/DGXNASFK1705A_X10C14A1000000/
 ルネサス エレクトロニクスは、SRAM(スタティック・ランダム・アクセス・メモリー)の経年劣化による不良の
抑制技術を開発し、第6回 国際カーエレクトロニクス技術展(2014年1月15日〜17日、東京ビッグサイト)で紹介した。
車載向けなど、10年を超える使用が見込まれるシステムLSIに応用する。
 開発した技術は、NBTIと呼ばれるPMOSトランジスターの劣化などによってSRAMの不良率が経年で高まる現象を
回避するもの。この現象は製造時に良品のSRAMにも生じる。従来は、10年といった経年変化を見込んだマージン
で設計していたため、動作速度や消費電力の最適化ができていなかった。また設計で見込んだ期間以上使うと、
突然不具合が発生するという問題もあった。






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