- 1 名前：右大臣・大ちゃん之弼 ★ mailto:sagete [2019/03/22(金) 11:37:24.33 ID:CAP_USER.net]
- サムスン電子は21日、回路線幅を既存製品よりさらに微細化した「第3世代」のDRAMを世界で初めて開発したと発表した。第2世代のDRAMを開発してからわずか1年4カ月で次世代製品を発表したことになる。正確な回路線幅を明らかにしていないが、今年下半期から本格的な量産と販売を開始する。
サムスン電子は3年前に回路線幅10ナノメートル台のDRAMの生産を開始した。その製品を第1世代と位置づけ、徐々に回路線幅を狭めた。第3世代を第1世代と比較すると、回路線幅が10％以上狭まったという。
メモリー半導体では、回路線幅が微細であるほど、1枚のウエハーで生産できるDRAMの個数が増えるほか、半導体の電力消費量も抑えられる。サムスン電子は第3世代製品の生産性が前世代の製品よりも20％改善し、データ処理速度も速まったと説明した。
サムスン電子メモリー事業部の李禎培（イ・ジョンベ）副社長は「微細工程の限界を克服し、次世代のメモリー半導体を迅速に投入している。今後もプレミアム級のDRAMのラインアップ拡大に継続的に投資を行い、未来技術をリードしていく」と述べた。
カン・ドンチョル記者
www.chosunonline.com/site/data/html_dir/2019/03/22/2019032280012.html
朝鮮日報／朝鮮日報日本語版 2019/03/22 09:01
- 101 名前：<丶｀∀´>（´・ω・｀）（｀ハ´ ）さん [2019/03/22(金) 19:39:09.55 ID:WBZHeEcS.net]
- フッ化水素
- 102 名前：<丶｀∀´>（´・ω・｀）（｀ハ´ ）さん [2019/03/22(金) 20:06:22.58 ID:MfM0mMjS.net]
- 早よ製品出さんかい買い叩いたる♪
- 103 名前：化け猫 [2019/03/22(金) 20:08:33.17 ID:mKA6nMTZ.net]
- 次世代ドラム缶体型
↓ヽ(=ﾟωﾟ=)ﾉ
- 104 名前：<丶｀∀´>（´・ω・｀）（｀ハ´ ）さん [2019/03/22(金) 20:21:48.65 ID:n6DkI83P.net]
- 第三世代って17nm位か
東芝が4年前に15nm実現してる
スケールは隠さずに公表しましょう
- 105 名前：<丶｀∀´>（´・ω・｀）（｀ハ´ ）さん [2019/03/22(金) 21:20:48.16 ID:aaETgDUf.net]
- >>12
＞CPUだけど台湾ではとっくに7nmで製品化してるからねｗ
サムスンは10nmも製品化できないんだっけ？
- 106 名前： mailto:sage [2019/03/22(金) 21:22:27.93 ID:6wX0vcH9.net]
- > 1枚のウエハーで生産できるDRAMの個数が増える
じゃあもっと値下げしなきゃね
やったねたえちゃんメモリ64GB積めるよ
- 107 名前：<丶｀∀´>（´・ω・｀）（｀ハ´ ）さん [2019/03/22(金) 21:22:33.72 ID:aaETgDUf.net]
- >>20
＞すげえ！すげえ！
＞サムスンの技術は世界一！
＞そこはちゃんと認めろよ
どうせ、日本の製造装置を使うんでしょ？w
- 108 名前：<丶｀∀´>（´・ω・｀）（｀ハ´ ）さん [2019/03/22(金) 21:23:40.94 ID:vF+2yx9Z.net]
- 南朝鮮で言う半導体ってメモリーしかないからなw
- 109 名前：<丶｀∀´>（´・ω・｀）（｀ハ´ ）さん [2019/03/22(金) 21:23:41.63 ID:aaETgDUf.net]
- >>22
＞いつもの株価対策だろ、もう誰も製品が出るまで騙されないよ。
＞何回株価対策で出ない製品があったと思ってるんだよw
いつも開発した！詐欺だもんな。
- 110 名前：<丶｀∀´>（´・ω・｀）（｀ハ´ ）さん [2019/03/22(金) 21:25:07.88 ID:vF+2yx9Z.net]
- >>34
30匹はいると思えと銀さんが言ってたぞw
- 111 名前： mailto:sage [2019/03/22(金) 21:26:05.73 ID:wIjHz31e.net]
- フッ化水素次第で歩留まりがな
- 112 名前：<丶｀∀´>（´・ω・｀）（｀ハ´ ）さん [2019/03/22(金) 21:26:14.49 ID:aaETgDUf.net]
- >>39
＞>>1
＞だけど、工作機械とシリコンウエハーとフッ化水素がないと作れません
＞この発表は、株価対策だなw
フッ化水素を止めれば良いのよ！
サムスンは中国製のフッ化水素を使えばいい！
- 113 名前：<丶｀∀´>（´・ω・｀）（｀ハ´ ）さん [2019/03/22(金) 21:27:25.72 ID:vF+2yx9Z.net]
- >>76
李朝なんて滅んでる。清もなw
- 114 名前：<丶｀∀´>（´・ω・｀）（｀ハ´ ）さん [2019/03/22(金) 21:28:23.90 ID:WvJi8hFt.net]
- DDR5の量産に目途がついたってことなの？
- 115 名前：<丶｀∀´>（´・ω・｀）（｀ハ´ ）さん [2019/03/22(金) 21:34:46.10 ID:aaETgDUf.net]
- >>95
＞>>83
＞てかサムスンが負け組やんw
＞利益急減して株価も下落
＞折り畳みスマホあれどうなったの？w
サムスンの折りたたみスマホ、1万回の開閉で画面に「しわ」が発生する可能性
個体差によって1000回でもシワがでそうw
- 116 名前：<丶｀∀´>（´・ω・｀）（｀ハ´ ）さん [2019/03/22(金) 21:36:24.69 ID:0qBlBlZe.net]
- 北で爆売れ間違いなし。
- 117 名前：<丶｀∀´>（´・ω・｀）（｀ハ´ ）さん [2019/03/22(金) 21:40:00.58 ID:SY2Tkhl/.net]
- 自国でシリコンウエハァー生産は可能なの？南朝て
- 118 名前：<丶｀∀´>（´・ω・｀）（｀ハ´ ）さん [2019/03/22(金) 21:47:41.41 ID:cAkI5qW2.net]
- よしよしどんどん過剰生産して市場を暴落させてくれ。
そろそろRyzenを組みたいんだ。
- 119 名前：<丶｀∀´>（´・ω・｀）（｀ハ´ ）さん [2019/03/22(金) 21:51:52.51 ID:H2puQTY+.net]
- ネトウヨの嫉妬が気持ちいい〜（笑）
- 120 名前：<丶｀∀´>（´・ω・｀）（｀ハ´ ）さん [2019/03/22(金) 21:57:56.62 ID:cxXKO2WP.net]
- >>30
どうして子供でもわかる簡単な嘘をつくんだｗｗｗ
何から何まで嘘のゴミチョン！
- 121 名前：<丶｀∀´>（´・ω・｀）（｀ハ´ ）さん [2019/03/22(金) 22:04:52.77 ID:gXgNvL+M.net]
- ちょっとサンプル品見せてみ？
- 122 名前： mailto:sage [2019/03/22(金) 22:05:38.91 ID:JuNkMhh6.net]
- 社内でしか通用しない話題を代X世代と呼称してはいけない
- 123 名前： mailto:sage [2019/03/22(金) 22:12:48.63 ID:hJFoyuUo.net]
- 中国の国策DRAM工場本格稼働で価格破壊されるしなｗ
- 124 名前：<丶｀∀´>（´・ω・｀）（｀ハ´ ）さん [2019/03/23(土) 01:00:30.91 ID:CgrO9QkY.net]
- >>104
これは間違え。
東芝はフラッシュの15nmであり、コンタクトホールを含まない。
もちろん、東芝はフラッシュとしての15nmであり、サムスンは1znmをDRAMとして公表している。何も隠していない。
なお、東芝がフラッシュの15nmを公表したころ、サムスンは既に3D nandに舵を切り始め、このころを境に、NAND Flashは平面のシュリンクを追っていない。
もちろん、層数の深化と同様に平面方向のシュリンクも続くが、コンタクトホール、M0あたりは再度DRAMがテクノロジードライバになる可能性がある。
- 125 名前：<丶｀∀´>（´・ω・｀）（｀ハ´ ）さん [2019/03/23(土) 01:10:59.05 ID:CgrO9QkY.net]
- >>114
もともと速度的な目途は問題ない。
DRAMの場合、内外パラシリ変換のポテンシャルはこんなものではない。
XDRが登場しつつあった2003〜5年の時点でoctal data rate、x32品なら256bitアクセスを実現していた。
よって、I/O関連の規格とODTのような信号整形を用意すれば実用化自体は可能。
ただ、実際にはpj/bitの効率性を追う側に各メモリ共にフォーカスしつつあり、ひところほどの速度競争がなされていない。
最近の動きとしては、DDR5のような（かつての）汎用品はDIMMによる超多パラのインテグリティ確保に苦労しているようだ。
P2Pなら上記のXDRが2005年頃6.4gbpsを達成しているが、DIMMで6.4gbps達成はDDR5まで15年遅れとなった。
もちろん、XDRはPLLで自励発振したベースクロックを用いてDQSまで作っているから、IDD2系に入れたがる最近のローパワー制御には全く不向き。
DLLでやるなら、それなりに高度なテクノロジーを使っているという事にはなるしトレーニングならbyte単位でやる必要が出るなど、面倒くさそうではある。
ちなみに、2014年にはSerDesで30GHzを実現していたから、電力を無制限にできれば、現在のテクノロジーでHBMなど使わずとも数TBytes/Secができなくはない。
（サムスンでもそんなものは設計してくれないと思うが）
- 126 名前：<丶｀∀´>（´・ω・｀）（｀ハ´ ）さん [2019/03/23(土) 01:12:44.60 ID:CgrO9QkY.net]
- >>122
サムスン、ハイニックス、マイクロンがX、Y、Zを使っているのだから、業界用語ではある。
ITRSではこの種の呼び方をしなさそうだから、あなたの指摘の通りフォーマルではないと思うが。
- 127 名前： mailto:sage [2019/03/23(土) 01:49:54.17 ID:3lOFTmS7.net]
- まぁ何を作ろうと採用することは無いから頑張れや
- 128 名前： mailto:sage [2019/03/23(土) 01:58:16.76 ID:x50nux+E.net]
- いい製造装置、使ってんだな
- 129 名前： mailto:sage [2019/03/23(土) 05:13:12.77 ID:eNXiDZb+.net]
- 耐久性大丈夫なんかなこれ
- 130 名前：<丶｀∀´>（´・ω・｀）（｀ハ´ ）さん [2019/03/23(土) 06:08:39.60 ID:M1tWAIi3.net]
- ホントうに韓国にはサムスンがあって良かった
日本にはこんな世界企業がないことがかわいそう
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