- 172 名前：<丶｀∀´>（´・ω・｀）（｀ハ´ ）さん [2018/11/16(金) 16:11:07.94 ID:L5/zsgpl.net]
- 競合他社恐怖。来年サムスン半導体秒の超格差製品降り注ぐ
サムスン半導体の超格差製品が相次いで発売を待っている。
来年上半期までに世界メモリー半導体市場のスーパー好況が停滞すると予想される中、サムスン電子は超格差製品を前面に出した市場支配力の強化に焦点を当てする方針だ。
16日、半導体業界によると、サムスン電子は最近、ファウンドリ（受託生産）部門で、世界初の極紫外線（EUV）露光技術で7ナノプロセスウェーハの生産を開始した。
競合他社であり、業界1位の台湾TSMCは来年からEUVを導入する予定である。
サムスン電子は、DRAMもEUV工程の導入を進めている。
SKハイニックスとマイクロンは、2〜3年以降EUVを工程に導入を検討している。
サムスン電子の先制投資実験が成功した場合、10ナノ以下から競合他社との工程の競争力の差が広がると、業界は見ている。
サムスン 電子はまた、第6世代（128段）3D NAND型フラッシュ2世代Z- SSD（ソリッドステートドライブ）も公開した。
サムスン電子は92段に続いて、128段も、単一のセルを積むシングルスタックで製造する計画である。
競合他社は、すでに64段からNAND型の2つの続い付けるダブルスタッキングに転換した。
半導体業界の関係者は、「64段で絞り込まれた企業間の技術力の差が92段から再び行われるだろう」とし「NAND型段数が上がるほど、シングルスタックとダブルスタッキング間の製造単価と耐久性の差が大きくなる」と説明した。
業界関係者は、「来年の半ばに、NAND型板いく原価レベル以下になる恐れもある」とし「この時、相対的に余裕があるサムスン電子とSKハイニックスは圧倒的な技術力と資金力に持ちこたえることができますが、残りの企業は事情が容易でないだろう」と説明した。
https://news.naver.com/main/read.nhn?mode=LSD&mid=sec&sid1=105&oid=014&aid=0004127996
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