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439 名前:login:Penguin mailto:sage [2010/08/30(月) 23:09:37 ID:RfJgm0Ov]
フラッシュメモリの大容量化は,微細化が限界にきたから,
厚み方向の多層化へシフトしている.
層間配線用のビア接続が,温度サイクルでダメになり易いのかもね.

層形成が時間の掛かる層成長型でなくて,積み重ねる方法だと,
ものの組み立ては速く出来るけれど,層毎の厚みの違いや,
層間の接着ぐあいの差で,温度変化によって層間をつなぐビアに
ストレスが掛かって,断線し易いのだろうと思う.

冬時期に生産されたフラッシュチップを搭載したものが
良いのかも知れない…ロット毎のばらつきもあるかな?







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