- 309 名前:ナナシマさん mailto:sage [2011/01/15(土) 22:06:59 ID:???0]
- ハイニックス半導体は29日、世界で初めて30ナノクラス技術を適用した
高容量の4ギガビットDDR3 DRAMを開発したと明らかにした。 また、30ナノクラス2ギガビットDDR3 DRAMの開発も計画通りに完了し、 来年1〜3月期に量産に入ると説明した。 今回開発された30ナノクラス4ギガビットDDR3 DRAMは 大容量プレミアムサーバーおよび高仕様パソコンが求める 高容量・高性能・低電力の特性を満足させることができる製品。 ハイニックスは今後、同製品でプレミアム製品市場を先占する計画だ。 img.yonhapnews.co.kr/Basic/Article/JP/20101229/20101229133735_bodyfile.jpg 30ナノクラスDRAMは従来の40ナノクラスDRAMに比べ、生産性が70%程度向上され、 原価競争力を強化することができ、最大2133Mbpsのデータ処理速度を実現。 従来の1333Mbps製品比の処理速度が60%程度速まった。 また1.25ボルトの超低電圧とエコ技術を適用し、 従来の40ナノクラス2ギガビット製品より60%以上電力消耗を減らすことができる。 ハイニックス最高技術責任者(CTO)の朴星ウク(パク・ソンウク)副社長は、 「現在、DRAM生産量全体の50%程度を2ギガビット製品が占めており、 今後は高容量・高性能・低電力製品の割合を持続的に拡大していく」と話した。 japanese.yonhapnews.co.kr/itscience/2010/12/29/0600000000AJP20101229001000882.HTML
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