フラッシュランプアニールは、カメラなどに用いられるフラッシュランプを数万倍のエネルギーに巨大化したものを半導体のアニール装置に応用したものである。

ウルトラシャロージャンクションなど、微細化が極度に進んだ集積回路のエクステンションと呼ばれる部分の活性化に用いられる。 それまでのアニールはハロゲンランプが用いられるのが一般的であったが、ドーピングしたイオンが活性化する1000℃以上にウェハを加熱しようとするとハロゲンランプでは数秒の時間がかかる。そのわずか数秒で数十ナノメートルのトランジスタのソースとドレインが短絡するほどのイオンの拡散をおこす。最近の集積回路のトランジスタはそれほど小さくなっているのだ。 フラッシュランプアニールはそのドーピングされたイオンが拡散する暇を与えない、数十万度毎秒というスピードで昇降温する。この早業によってイオン拡散をほとんど起こさずにドープされたイオンを活性化することができる。65nm以降の汎用CPUにはこのアニール装置が用いられている。

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カテゴリ: 半導体隠しカテゴリ: 工学関連のスタブ

更新日時:2008年4月9日(水)11:41（日時は
取得日時:2009/06/19 17:04