★ オペアンプ #7 ..
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429:774ワット発電中さん
11/11/10 00:15:39.17 3Xbejf20
>>397
コテ(OhOPAMPYAc)様からの伝言2:
 134:名無しさん@お腹いっぱい。:2011/10/09(日)08:02:06.18ID:3trpS7CD
 前スレ>>926の話を理解できていないみたいなので解説してやる

 その例題では入力信号0[V]で反転入力部分に15.547...μ[V]が発生するところまで言及したな
 しかし本当にその電圧が非反転入力と反転入力の間の電圧として発生するかどうかは違う
 本当に発生したとしても外来ノイズと熱雑音の総和以下の電圧なんだが、
 更に突き詰めて実回路で言えることはその15μ[V]が差動受けの入力抵抗だけでなく
 他の抵抗成分によって更に分圧されてしまうという事だ
 この場合E-B間(FETならS-G間)の抵抗値[Ω]とB-E間(FETならG-S間)の抵抗値[Ω]の和がその差動入力自身の抵抗:Rdif[Ω]とする
 例えば一般的な2SC1815Yを差動入力に使ったとしよう
 反転入力と非反転入力の電位差である15μ[V]が順方向で反転入力のB-E間と逆方向で非反転のE-B間に掛かる
 だからRdif=Rbb'の50[Ω]+E-Bの逆方向に於ける抵抗値Reb[Ω]となる
 さてそれではB-E間に逆方向電圧が掛かるのだからエミッタ遮断電流Ieboを見なければならんのだが、
 ツェナー電圧寸前の-5Vの時に最大0.1μ[A]と定義されているな、だから最低でもReb=50M[Ω]と仮定しよう
 (もちろん実際はもっともっと抵抗値高いんだぞ)
 つまりRdif=50,000,050[Ω]だ、わかるな?
 面倒だから差動入力抵抗Rdif=50M[Ω]にして、それで更に大目に見て入力カップリング有の状態で想定してやる
 何故ってバカのお前でもわかるようにバイアス抵抗だけ考えれば済むようになるからだ
 普通はバイポーラじゃ10k[Ω]程度置くんだが、さらに不利な状況になるようにめちゃくちゃ浅くバイアスをかけて1M[Ω]で考えてやる
 (FETじゃない限りマトモに使える数値じゃないし音もひどいがな)
 さて問題だ
 抵抗成分だけで反転入力接地の1k[Ω]とバイアス抵抗の1M[Ω]が直列になって反転入力と非反転入力に接続されてる
 その和の1.001M[Ω](Rsumと定義する)と、直流に於ける差動入力抵抗の50M[Ω]、どっちに多く電流が流れるか?
 当然Isum=50・Idif、という結果になるだろ
 それがどういうことかと言うと非反転入力がフロート状態の時、反転入力に50分の1の300n[V]しか発生してないのと同義だ
 つまりいくら不利な状況におかれてもフィードバックに使われている15k[Ω]の抵抗が
 温度25℃で20kHzの帯域幅の状況で発生する熱雑音2.2μ[V]の7分の1にしか相当しない

 だから、そんなたかだか15μ[V]の発生など無視できるという証明になるし、
 これで100dBのゲインが掛かるなんて木を見て森を見ないトンデモ解説だと言う結果になる
 オープンループゲインがいくつになろうが、ボーデ線図に違反したり、負帰還の存在でRdif>>>Rsumである限りは無関係だ



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