【半導体】東芝：100Gbit級フラッシュメモリー実現へ基本素子試作…映画10本分が収録可能に [07/12/12]

【半導体】東芝：100Gbit級フラッシュメモリー実現へ基本素子試作…映画10本分が収録可能に [07/12/12] at BIZPLUS

1:明鏡止水φ ★
07/12/12 23:15:50
　東芝は12日、100ギガ(ギガは10億)ビット級の記録容量のフラッシュメモリーを実現する
基本素子を試作したと発表した。デジタルカメラやビデオカメラの記録媒体に使う
フラッシュメモリーの容量が現状の6倍以上になる。4―5年後の実用化を目指す。

　試作では回路の線幅を15ナノ(ナノは10億分の1)メートルにすることができ、フラッシュ
メモリーを構成するメモリー素子としては世界最小。この素子を集めてフラッシュメモリーを
作ると、大きさを変えずに100ギガ級が実現する。現在メモリーカード1枚では、映画1本分しか
記録できないが、100ギガ級では10本分が収録可能になる。

　容量を大きくできるのは、記録に必要な電荷を蓄積する部分の構造を工夫、微細化しても
安定したデータの保持ができたからだ。

▽News Source　IT+PLUS 2007年12月12日21時55分
URLﾘﾝｸ(it.nikkei.co.jp)
▽Press Release
世界最小10nm台フラッシュメモリ素子の要素技術を開発
URLﾘﾝｸ(www.toshiba.co.jp)
▽東芝　株価 [適時開示速報]
URLﾘﾝｸ(www.toshiba.co.jp)
URLﾘﾝｸ(company.nikkei.co.jp)
URLﾘﾝｸ(smartchart.nikkei.co.jp)
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