【半導体】次世代パワー半導体材料「r―GeO2」でゲームチェンジ狙う 立命館大 [すらいむ★]
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1:すらいむ ★
24/01/15 20:58:07.28 zZuE0VQk.net
次世代パワー半導体材料「r―GeO2」でゲームチェンジ狙う
■立命館大学発スタートアップが目指す
次世代パワー半導体材料の開発が加速している。
現在主流のシリコンよりも優れたエネルギーの低損失や高耐圧を実現すべく、国内外でスタートアップが立ち上がっている。
立命館大学発スタートアップのPatentix(パテンティクス、滋賀県草津市、衣斐豊祐社長)もその一つ。
同社は炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)に比べ、性能やコスト面で優れるとされる、ルチル構造二酸化ゲルマニウム(r―GeO2)でゲームチェンジを狙う。
(以下略、続きはソースでご確認ください)
ニュースイッチ 1/15(月) 15:10
URLリンク(news.yahoo.co.jp)
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